SEOUL, Korea – Samsung Electronics Co. Ltd. hat mit der Massenproduktion des industrieweit ersten 12gigabit (Gb) LPDDR4 (Low Power, Double Data Rate 4) Mobile DRAM in seiner fortschrittlichen 20nm-Prozesstechnologie begonnen.

Das Unternehmen erwartet, dass das neueste LPDDR4 den Einsatz von Mobile DRAMs mit hoher Speicherkapazität weltweit wesentlich vorantreibt. In Sachen Speicherkapazität und Geschwindigkeit übertrifft das 12Gb LPDDR4 alle bisher verfügbaren DRAM-Chips und bietet zugleich ausgezeichnete Eigenschaften hinsichtlich Energieeffizienz und Zuverlässigkeit. Darüber hinaus vereinfacht es das Design. Alle genannten Eigenschaften sind zur Entwicklung von Mobilgeräten der nächsten Generation unabdingbar.

“Durch den Beginn der Massenproduktion unseres 12Gb LPDDR4 Mobile DRAM zum genau richtigen Zeitpunkt unterstützen wir OEMs, ihre Ziele bei der Entwicklung von Mobilgeräten der nächsten Generation schneller umzusetzen. Andererseits bieten wir Funktionen an, die Mobilgerätenutzern ein spürbar verbessertes Anwendererlebnis bescheren, ” sagt Joo Sun Choi, Executive Vice President of Memory Sales and Marketing bei Samsung Electronics. “Darüber hinaus beabsichtigen wir, intensiv mit unseren globalen Kunden zusammenzuarbeiten, um über Premium Smartphones und Tablets hinaus neue digitale Märkte zu schaffen, die das gesamte Potenzial von Spitzentechnologien, wie zum Beispiel Mobile DRAMs der nächsten Generation, voll entfalten.”

Quellenangabe: "obs/Samsung Semiconductor Europe GmbH"

Quellenangabe: “obs/Samsung Semiconductor Europe GmbH”

Verglichen mit dem vorhergehenden 8Gb LPDDR4 in 20nm-Technologie ist die 12Gb-Version mit 4.266 Megabit pro Sekunde (Mbps) über 30 Prozent schneller und doppelt so schnell wie DDR4 DRAM für PCs*, während sie 20 Prozent weniger Energie verbraucht. Zusätzlich wurde die Fertigungsproduktivität des 12Gb LPDDR4 gegenüber dem 20nm-Class** 8Gb LPDDR4 um 50 Prozent gesteigert. Dies wird die Nachfrage nach höheren Speicherkapazitäten in Mobilgeräten weiter steigern.

Das 12Gb LPDDR4 ermöglicht 3gigabyte (GB) oder 6GB Mobile DRAM in einem Gehäuse mit nur zwei bzw. vier Chips. Es ist gleichzeitig die einzige Lösung, die ein 6GB LPDDR4 Gehäuse zur Verfügung stellen kann. In Flaggschiff-Geräten der nächsten Generation erlauben 6GB LPDDR4 Mobile DRAM den Verbrauchern, innerhalb der neuesten Betriebssystemumgebungen durchgängiges Multitasking und maximale Leistungsfähigkeit zu genießen. Auch lässt sich das auf dem neuen 12Gb LPDDR4 basierende 6GB Gehäuse problemlos in die derzeit für 3GB LPDDR4 verfügbaren Gehäuse unterbringen. Dies erfüllt die Forderung nach höherer Design-Kompatibilität und Fertigungsproduktivität bei fortschrittlichen Mobilgeräten.

Durch die Erweiterung seiner Memory-Produktlinie mit hoher Kapazität auf der Basis des 12Gb LPDDR4 plant Samsung, die Wettbewerbsfähigkeit seines industrieweit führenden 20nm DRAM-Angebots (12Gb/8Gb/6Gb/4Gb) zu stärken und zugleich seine Position auf dem wachsenden Markt für Premium-Memory weiter zu festigen.

Samsung erwartet auch, dass sich die bisherigen Anwendungsbereiche für Memory aufgrund der außergewöhnlichen Vorteile seines LPDDR4 Mobile Memory in den kommenden Jahren über Smartphones und Tablets hinaus auf ultraschlanke PCs, Digitalgeräte und Automotive-Komponenten ausdehnen werden.

Quelle: ots

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